图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 BSC050N03MS G |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 5,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 80A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 5 mOhm @ 30A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 46nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 3600pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 50W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8 (5.15x6.15) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| P（ TOT ） | 50W |
| 匹配代码 | BSC050N03MS G |
| 安装 | SMD |
| R（ THJC ） | 2.5K/W |
| LogicLevel | YES |
| 包装 | TDSON-8 |
| 单位包 | 5000 |
| 标准的提前期 | 21 weeks |
| 最小起订量 | 5000 |
| Q（克） | 17nC |
| LLRDS （上） | 0.0063Ohm |
| 汽车 | NO |
| LLRDS （上）在 | 4.5V |
| 我（D ） | 80A |
| V（ DS ） | 30V |
| 技术 | OptiMOS |
| 的RDS（on ） at10V | 0.005Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 16A (Ta), 80A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 2V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 30V |
| 供应商设备封装 | PG-TDSON-8 (5.15x6.15) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 5 mOhm @ 30A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 50W |
| 标准包装 | 5,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 3600pF @ 15V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 46nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | BSC050N03MSGINCT |
| 类别 | 5 V Driver, SMPS |
| 通道模式 | Enhancement |
| 渠道类型 | N |
| 配置 | Quad Drain, Single Gate, Triple Source |
| 外形尺寸 | 5.35 x 6.1 x 1.1mm |
| 身高 | 1.1mm |
| 长度 | 5.35mm |
| 最大连续漏极电流 | 80 A |
| 最大漏源电阻 | 6.3 mΩ |
| 最大漏源电压 | 30 V |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 50 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | PG-TDSON-8 |
| 引脚数 | 8 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 34 nC V @ 0 → 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 2700 pF V @ 15 |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 典型导通延迟时间 | 14 ns |
| 宽度 | 6.1mm |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 源极击穿电压 | +/- 16 V |
| 连续漏极电流 | 16 A |
| 系列 | BSC050N03 |
| RDS（ON） | 5 mOhms |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 商品名 | OptiMOS |
| 封装/外壳 | TDSON |
| 零件号别名 | BSC050N03MSGATMA1 SP000311507 |
| 上升时间 | 7.2 ns |
| 漏源击穿电压 | 30 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 7.4 ns |
| Continuous Drain Current Id | :80A |
| Drain Source Voltage Vds | :30V |
| On Resistance Rds(on) | :4.2mohm |
| Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
| Threshold Voltage Vgs | :1V |
| 功耗 | :50W |
| Operating Temperature Min | :-55°C |
| Operating Temperature Max | :150°C |
| Transistor Case Style | :PG-TSDSON |
| No. of Pins | :8 |
| MSL | :MSL 1 - Unlimited |
| Current Id Max | :80A |
| 工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
| 晶体管类型 | :Power MOSFET |
| Voltage Vgs Max | :20V |
| Weight (kg) | 0.002 |
| Tariff No. | 85412900 |
| associated | FDMS7672 |
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